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文献
J-GLOBAL ID：200902183083061129
整理番号：97A0012660
ひずみを加えたInGaAs/InAlAs多重量子井戸電子吸収変調器の特性
Performance of Strained InGaAs/InAlAs Multiple-Quantum-Well Electroabsorption Modulators.
IDO T
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
SANO H
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
TANAKA S
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
MOSS D J
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
INOUE H
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
Journal of Lightwave Technology
(Journal of Lightwave Technology)
巻： 14 号： 10 ページ： 2324-2331 発行年： 1996年10月
JST資料番号： H0922A ISSN： 0733-8724 CODEN： JLTEDG 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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