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文献
J-GLOBAL ID：200902183104238849
整理番号：99A0420084
五酸化タンタルゲート絶縁体を用いたCMOSメタル置換ゲートトランジスタ
CMOS Metal Replacement Gate Transistors using Tantalum Pentoxide Gate Insulator.
CHATTERJEE A
(MS 3702 Texas Instruments, Dallas, TX)
,
CHAPMAN R A
(MS 3702 Texas Instruments, Dallas, TX)
,
OTOBE M
(Texas Instruments, JPN)
,
FANG S J
(MS 3702 Texas Instruments, Dallas, TX)
,
AUR S-W
(MS 3702 Texas Instruments, Dallas, TX)
,
TSAI H-L
(MS 3702 Texas Instruments, Dallas, TX)
,
JONES P
(MS 3702 Texas Instruments, Dallas, TX)
,
AOKI M
(Texas Instruments, JPN)
,
CHEN I-C
(MS 3702 Texas Instruments, Dallas, TX)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1998 ページ： 777-780 発行年： 1998年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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