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文献
J-GLOBAL ID：200902183285756870
整理番号：99A0616552
放電加工による単結晶シリコンインゴットの高能率精密中ぐり
High efficiency fine boring of monocrystalline silicon ingot by electrical discharge machining.
UNO Y
(Okayama Univ., Okayama, JPN)
,
OKADA A
(Okayama Univ., Okayama, JPN)
,
OKAMOTO Y
(Okayama Univ., Okayama, JPN)
,
YAMAZAKI K
(Univ. California at Davis, CA, USA)
,
RISBUD S H
(Univ. California at Davis, CA, USA)
,
YAMADA Y
(KASEN USA Corp., NC, USA)
資料名：
Precision Engineering
(Precision Engineering)
巻： 23 号： 2 ページ： 126-133 発行年： 1999年04月
JST資料番号： A0734B ISSN： 0141-6359 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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