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文献
J-GLOBAL ID：200902183418599846
整理番号：98A0793885
分子ビーム・エピタキシーによるGaAs(100)上のc-GaNの初期成長機構に関する調査
A study of initial growth mechanism of c-GaN on GaAs(100) by molecular beam epitaxy.
KIMURA R
(Teikyo Univ. Sci. and Technol., Yamanashi, JPN)
,
GOTOH Y
(Teikyo Univ. Sci. and Technol., Yamanashi, JPN)
,
NAGAI T
(Teikyo Univ. Sci. and Technol., Yamanashi, JPN)
,
UCHIDA Y
(Teikyo Univ. Sci. and Technol., Yamanashi, JPN)
,
MATSUZAWA T
(Teikyo Univ. Sci. and Technol., Yamanashi, JPN)
,
TAKAHASHI K
(Teikyo Univ. Sci. and Technol., Yamanashi, JPN)
,
SCHULZ C-G
(Paul-Drude-Inst. Solid State Electronics, Berlin, DEU)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 189/190 ページ： 406-410 発行年： 1998年06月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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