文献
J-GLOBAL ID:200902183419244170
整理番号:00A0277098
Structural characterization of GaN grown by hydrogen-assisted ECR-MBE using electron microscopy.
著者 (5件):
ARAKI T
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
,
CHIBA Y
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
,
NOBATA M
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
,
NISHIOKA Y
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
,
NANISHI Y
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
209
号:
2/3
ページ:
368-372
発行年:
2000年02月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)