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文献
J-GLOBAL ID：200902183565631747
整理番号：97A1019202
SrBi2Ta2O9膜の低温形成とAl/SrBi2Ta2O9/CeO2/Si(100)構造による金属/強誘電体/絶縁体/半導体電界効果トランジスタの作製
Preparation of SrBi2Ta2O9 Film at Low Temperatures and Fabrication of a Metal/Ferroelectric/Insulator/Semiconductor Field Effect Transistor Using Al/SrBi2Ta2O9/CeO2/Si(100) Structures.
HIRAI T
(Asahi Chemical Ind. Co., Ltd., Shizuoka, JPN)
,
FUJISAKI Y
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
NAGASHIMA K
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
KOIKE H
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
TARUI Y
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 36 号： 9B ページ： 5908-5911 発行年： 1997年09月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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