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文献
J-GLOBAL ID：200902183624091930
整理番号：99A0221263
埋め込みバンプ配線技術による新しい高密度基板(B2it) 電気的および熱的性能の設計特徴と実際の応用
New High Density Substrates with Buried Bump Interconnection Technology(B2it). Design Features of Electrical and Thermal Performance with the Actual Applications.
FUKUOKA Y
(Toshiba Corp., Tokyo, JPN)
,
OGUMA T
(Toshiba Corp., Tokyo, JPN)
,
TAHARA Y
資料名：
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻： 3582 ページ： 405-412 発行年： 1998年
JST資料番号： D0943A ISSN： 0277-786X CODEN： PSISDG 資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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