文献
J-GLOBAL ID:200902183664832592
整理番号:98A0695930
触媒化学蒸着(Cat-CVD)法によって作製したシリコン系薄膜の形成
Formation of Silicon-Based Thin Films Prepared by Catalytic Chemical Vapor Deposition (Cat-CVD) Method.
著者 (1件):
MATSUMURA H
(JAIST (Japan Advanced Indt. Sci. Technol.), Ishikawa, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
37
号:
6A
ページ:
3175-3187
発行年:
1998年06月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
文献レビュー
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)