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文献
J-GLOBAL ID：200902183709268871
整理番号：93A0310708
炭素がイオン注入したシリコンにおける露出領域の形成及びその応用としてのデバイスに適用可能な品質のシリコンオン絶縁体の形成
Denuded zone formation in carbon-implanted silicon and its application to device quality silicon-on-insulator preparation.
TONG Q-Y
(Duke Univ., North Carolina)
,
YOU H-M
(Duke Univ., North Carolina)
,
CHA G
(Duke Univ., North Carolina)
,
GOESELE U
(Duke Univ., North Carolina)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 62 号： 9 ページ： 970-972 発行年： 1993年03月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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