文献
J-GLOBAL ID:200902183935509067
整理番号:93A0519338
SiH2Cl2を用いたシリコンエピタキシャル成長のモデリング
Modeling silicon epitaxial growth with SiH2Cl2.
著者 (3件):
COON P A
(Univ. Colorado, Colorado, USA)
,
WISE M L
(Univ. Colorado, Colorado, USA)
,
GEORGE S M
(Univ. Colorado, Colorado, USA)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
130
号:
1/2
ページ:
162-172
発行年:
1993年05月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)