文献
J-GLOBAL ID:200902184017948941
整理番号:93A0883960
Rc制限BJT飽和効果を含むための新しいBiCMOS遅延モデル
New BiCMOS delay model to include Rc-limited BJT saturation effect.
著者 (2件):
YAN Z X
(Simon Fraser Univ., British Columbia, CAN)
,
DEEN M J
(Simon Fraser Univ., British Columbia, CAN)
資料名:
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻:
36
号:
11
ページ:
1523-1528
発行年:
1993年11月
JST資料番号:
H0225A
ISSN:
0038-1101
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)