文献
J-GLOBAL ID:200902184024946016
整理番号:95A0602008
GaNおよび関連化合物におけるドーパントとアイソレーション物質種のイオン注入と再分布
Implantation and redistribution of dopants and isolation species in GaN and related compounds.
著者 (5件):
WILSON R G
(Hughes Res. Lab., CA, USA)
,
VARTULI C B
(Univ. Florida, FL, USA)
,
ABERNATHY C R
(Univ. Florida, FL, USA)
,
PEARTON S J
(Univ. Florida, FL, USA)
,
ZAVADA J M
(U.S. Army Res. Office, NC, USA)
資料名:
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻:
38
号:
7
ページ:
1329-1333
発行年:
1995年07月
JST資料番号:
H0225A
ISSN:
0038-1101
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)