文献
J-GLOBAL ID:200902184079038631
整理番号:99A0050719
有機金属気相エピタクシーによって成長させた新しい半導体合金GaAs1-xBix
New Semiconductor Alloy GaAs1-xBix Grown by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy.
著者 (2件):
OE K
(Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN)
,
OKAMOTO H
(NTT Optoelectronics, Kanagawa, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
37
号:
11A
ページ:
L1283-L1285
発行年:
1998年11月01日
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)