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文献
J-GLOBAL ID：200902184169052021
整理番号：93A0975617
四臭化炭素を用いた固体ソース分子線エピタクシーにおけるGaAsと(In,Ga)Asの炭素ドーピング
Carbon doping of GaAs and (In,Ga)As in solid source molecular beam epitaxy using carbon tetrabromide.
ZHANG K
(Pennsylvania State Univ., Pennsylvania)
,
HWANG W-Y
(Pennsylvania State Univ., Pennsylvania)
,
MILLER D L
(Pennsylvania State Univ., Pennsylvania)
,
KAPITAN L W
(Quantum Epitaxial Designs, Inc., Pennsylvania)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 63 号： 17 ページ： 2399-2401 発行年： 1993年10月25日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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