文献
J-GLOBAL ID:200902184181329934
整理番号:93A0788870
硫化物で不動態化したGa1-xAlxAsの液相エピタキシャル再成長
Liquid phase epitaxial regrowth on sulfide-passivated Ga1-xAlxAs.
著者 (6件):
BERKOVITS V L
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., St. Petersburg, SUN)
,
LANTRATOV V M
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., St. Petersburg, SUN)
,
L’VOVA T V
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., St. Petersburg, SUN)
,
SHAKIASHVILI G A
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., St. Petersburg, SUN)
,
ULIN V P
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., St. Petersburg, SUN)
,
PAGET D
(Ecole Polytechnique, Palaiseau, FRA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
63
号:
7
ページ:
970-972
発行年:
1993年08月16日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)