文献
J-GLOBAL ID:200902184220353236
整理番号:97A0368413
高温の急速熱アニーリング後のけい素中の酸素析出の空間的変動
Spatial variations in oxygen precipitation in silicon after high temperature rapid thermal annealing.
著者 (5件):
PAGANI M
(MEMC Electronic Materials, Novara, ITA)
,
FALSTER R J
(MEMC Electronic Materials, Novara, ITA)
,
FISHER G R
(MEMC Electronic Materials, Novara, ITA)
,
FERRERO G C
(MEMC Electronic Materials, Novara, ITA)
,
OLMO M
(MEMC Electronic Materials, Novara, ITA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
70
号:
12
ページ:
1572-1574
発行年:
1997年03月24日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)