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J-GLOBAL ID：200902184235467483 整理番号：94A0012020

歪Si/GaAsヘテロ構造の構造と電子特性

Structural and electronic properties of strained Si/GaAs heterostructures.

著者 (5件)：

PERESSI M

(Univ. Trieste, Trieste, ITA)

COLOMBO L

(Univ. Milano, Milano, ITA)

RESTA R

(Scuola Internazionale Superiore di Studi Avanzati(SISSA), Trieste, ITA)

BARONI S

(Scuola Internazionale Superiore di Studi Avanzati(SISSA), Trieste, ITA)

BALDERESCHI A

(Univ. Trieste, Trieste, ITA)

資料名：

Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)

巻： 48 号： 16 ページ： 12047-12052 発行年： 1993年10月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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