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文献
J-GLOBAL ID：200902184242366625
整理番号：02A0659928
光酸化膜とSiH4とN2OガスからのPECVD膜を積層した低温多結晶Si薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜
Stacked Gate Insulator of Photo-Oxide and PECVD Film from SiH4 and N2O for Low Temperature Poly-Si Thin Film Transistor.
中田行彦
(シャープ ディスプレイ技術開発本部)
,
岡本哲也
(シャープ ディスプレイ技術開発本部)
,
糸賀隆志
(シャープ ディスプレイ技術開発本部)
,
浜田敏正
(シャープ ディスプレイ技術開発本部)
,
石井裕
(シャープ ディスプレイ技術開発本部)
資料名：
電子情報通信学会論文誌 C
(IEICE Transactions on Electronics (Japanese Edition))
巻： J85-C 号： 8 ページ： 666-672 発行年： 2002年08月01日
JST資料番号： S0623C ISSN： 1345-2827 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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