文献
J-GLOBAL ID:200902184245064573
整理番号:02A0070333
プラズマ増強化学蒸着による垂直整列カーボンナノチューブの成長プロセス条件
Growth process conditions of vertically aligned carbon nanotubes using plasma enhanced chemical vapor deposition.
著者 (9件):
CHHOWALLA M
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
TEO K B K
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
DUCATI C
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
RUPESINGHE N L
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
AMARATUNGA G A J
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
FERRARI A C
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
ROY D
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
ROBERTSON J
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
MILNE W I
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
90
号:
10
ページ:
5308-5317
発行年:
2001年11月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)