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文献
J-GLOBAL ID：200902184256130926
整理番号：93A0404643
MeV炭素注入に起因するSi中の鉄のゲッタリング及びドーピング
Iron gettering and doping in silicon due to MeV carbon implantation.
SKORUPA W
(Research Center Rossendorf Inc., Dresden, DEU)
,
KOEGLER R
(Research Center Rossendorf Inc., Dresden, DEU)
,
SCHMALZ K
(Inst. Semiconductor Physics, Frankfurt, DEU)
,
GAWORZEWSKI P
(Inst. Semiconductor Physics, Frankfurt, DEU)
,
MORGENSTERN G
(Inst. Semiconductor Physics, Frankfurt, DEU)
,
SYHRE H
(Inst. Fresenius, Dresden, DEU)
資料名：
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms
(Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 74 号： 1/2 ページ： 70-74 発行年： 1993年04月
JST資料番号： H0899A ISSN： 0168-583X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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