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文献
J-GLOBAL ID：200902184337771497
整理番号：02A0306923
ZrO2金属-絶縁体-半導体構造におけるZrシリケート界面層
Study on Zr-silicate interfacial layer of ZrO2 metal-insulator-semiconductor structure.
YAMAGUCHI T
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
SATAKE H
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
FUKUSHIMA N
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
TORIUMI A
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 80 号： 11 ページ： 1987-1989 発行年： 2002年03月18日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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