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文献
J-GLOBAL ID:200902184418039537   整理番号:95A0192350

非常に低い電圧動作のためのダイナミックしきい値電圧MOSFET(DTMOS)

A Dynamic Threshold Voltage MOSFET (DTMOS) for Very Low Voltage Operation.
著者 (6件):
ASSADERAGHI F
(Univ. California at Berkeley, CA, USA)
PARKE S
(Univ. California at Berkeley, CA, USA)
SINITSKY D
(Univ. California at Berkeley, CA, USA)
BOKOR J
(Univ. California at Berkeley, CA, USA)
KO P K
(Univ. California at Berkeley, CA, USA)
HU C
(Univ. California at Berkeley, CA, USA)

資料名:
IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)

巻: 15  号: 12  ページ: 510-512  発行年: 1994年12月 
JST資料番号: B0344B  ISSN: 0741-3106  CODEN: EDLEDZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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