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文献
J-GLOBAL ID：200902184418039537
整理番号：95A0192350
非常に低い電圧動作のためのダイナミックしきい値電圧MOSFET(DTMOS)
A Dynamic Threshold Voltage MOSFET (DTMOS) for Very Low Voltage Operation.
ASSADERAGHI F
(Univ. California at Berkeley, CA, USA)
,
PARKE S
(Univ. California at Berkeley, CA, USA)
,
SINITSKY D
(Univ. California at Berkeley, CA, USA)
,
BOKOR J
(Univ. California at Berkeley, CA, USA)
,
KO P K
(Univ. California at Berkeley, CA, USA)
,
HU C
(Univ. California at Berkeley, CA, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 15 号： 12 ページ： 510-512 発行年： 1994年12月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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