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文献
J-GLOBAL ID：200902184455538306
整理番号：00A0715426
8nmゲートの電気的に可変な浅い接合の金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおけるソース-ドレイン直接トンネリング電流の観測
Observation of source-to-drain direct tunneling current in 8nm gate electrically variable shallow junction metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.
KAWAURA H
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
SAKAMOTO T
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
BABA T
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 76 号： 25 ページ： 3810-3812 発行年： 2000年06月19日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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