文献
J-GLOBAL ID:200902184524639551
整理番号:93A0282097
高信頼性電気消去可能なプログラム可能読出し型メモリ(EPROM)のトンネル酸化膜形成のための新しい単一ステップ高速熱窒酸化法
Novel Single-Step Rapid Thermal Oxynitridation Technology for Forming Highly Reliable Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory Tunnel Oxide Films.
著者 (3件):
FUKUDA H
(Oki Electric Industry Co. Ltd., Tokyo)
,
YASUDA M
(Oki Electric Industry Co. Ltd., Tokyo)
,
IWABUCHI T
(Oki Electric Industry Co. Ltd., Tokyo)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
32
号:
1B
ページ:
447-451
発行年:
1993年01月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)