前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902184567608544
整理番号：03A0067186
UVおよびオゾンプロセスにより形成したnm厚の酸化薄膜を有するGaAs MISFETの作成
Fabrication of GaAs MISFET With nm-Thin Oxidized Layer Formed by UV and Ozone Process.
IIYAMA K
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
KITA Y
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
OHTA Y
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
NASUNO M
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
TAKAMIYA S
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
HIGASHIMINE K
(Japan Advanced Inst. Sci. and Technol., Ishikawa, JPN)
,
OHTSUKA N
(Japan Advanced Inst. Sci. and Technol., Ishikawa, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 49 号： 11 ページ： 1856-1862 発行年： 2002年11月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。