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J-GLOBAL ID：200902184587735178 整理番号：98A0551284

極めて均質な(In,Ga)As/GaAs量子ドットからの強い通常入射(Normal-incidence)赤外線に対する吸収及び光電流スペクトル

Strong normal-incidence infrared absorption and photo-current spectra from highly uniform (In,Ga)As/GaAs quantum dot structures.

著者 (3件)：

PAN D

(Univ. Virginia, VA, USA)

TOWE E

(Univ. Virginia, VA, USA)

KENNERLY S

(Army Res. Lab., MD, USA)

資料名：

Electronics Letters (Electronics Letters)

巻： 34 号： 10 ページ： 1019-1020 発行年： 1998年05月14日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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