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文献
J-GLOBAL ID：200902184768612078
整理番号：02A0267367
GaNエピタキシャル成長の基板としてのペロブスカイト型酸化物(RE,Sr)(Al,Ta)O3の成長(RE=La,Nd)
Growth of perovskite-type oxides (RE,Sr)(Al,Ta)O3 as substrates for GaN epitaxial growth (RE=La,Nd).
ITO M
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SHIMAMURA K
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
PAWLAK D A
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
FUKUDA T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 235 号： 1/4 ページ： 277-282 発行年： 2002年02月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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