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文献
J-GLOBAL ID：200902184836725935
整理番号：93A0319854
パワーデバイス用6H-SiC,3C-SiCとSiの比較
Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, and Si for Power Devices.
BHATNAGAR M
(North Carolina State Univ., NC)
,
BALIGA B J
(North Carolina State Univ., NC)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 40 号： 3 ページ： 645-655 発行年： 1993年03月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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