文献
J-GLOBAL ID:200902184842014820
整理番号:95A0141333
高選択性,高異方性,かつエッチング時の帯電の少ない多結晶シリコンのパターニング方法としてのパルス時間変調電子サイクロトロン共鳴プラズマエッチング
Pulse-time modulated electron cyclotron resonance plasma etching for highly seletive, highly anisotropic, and less-charging polycrystalline silicon patterning.
著者 (2件):
SAMUKAWA S
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
TERADA K
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻:
12
号:
6
ページ:
3300-3305
発行年:
1994年11月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
1071-1023
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)