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文献
J-GLOBAL ID：200902184874010788
整理番号：95A0890957
ガスソース分子ビームエピタクシーにより成長させたInP(001)上のInAsの島の自己組織化とサイズとの関係
Relationship between self-organization and size of InAs islands on InP(001) grown by gas-source molecular beam epitaxy.
PONCHET A
(Centre d’Elaboration de Mat<span style=text-decoration:overline>e ́</span>riaux et d’Etudes Structurales, CNRS, Toulouse, FRA)
,
LE CORRE A
(France-T<span style=text-decoration:overline>e ́</span>l<span style=text-decoration:overline>e ́</span>com, Lannion, FRA)
,
L’HARIDON H
(France-T<span style=text-decoration:overline>e ́</span>l<span style=text-decoration:overline>e ́</span>com, Lannion, FRA)
,
LAMBERT B
(France-T<span style=text-decoration:overline>e ́</span>l<span style=text-decoration:overline>e ́</span>com, Lannion, FRA)
,
SALAUEN S
(France-T<span style=text-decoration:overline>e ́</span>l<span style=text-decoration:overline>e ́</span>com, Lannion, FRA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 67 号： 13 ページ： 1850-1852 発行年： 1995年09月25日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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