文献
J-GLOBAL ID:200902184896425809
整理番号:99A0484037
ナノインプリントリソグラフィーを用いて作製したナノスケールGaAs金属-半導体-金属光検出器
Nanoscale GaAs metal-semiconductor-metal photodetectors fabricated using nanoimprint lithography.
著者 (3件):
YU Z
(Princeton Univ., New Jersey)
,
SCHABLITSKY S J
(Princeton Univ., New Jersey)
,
CHOU S Y
(Princeton Univ., New Jersey)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
74
号:
16
ページ:
2381-2383
発行年:
1999年04月19日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)