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文献
J-GLOBAL ID：200902184897896325
整理番号：93A0732371
Characterization of SOI MOSFETs by gate capacitance measurements.
FLANDRE D
(Lab. Microelectronique, Louvain-la-Neuve, BEL)
,
GENTINNE B
(Lab. Microelectronique, Louvain-la-Neuve, BEL)
資料名：
Proceedings. IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures
(Proceedings. IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures)
巻： 1993 ページ： 283-287 発行年： 1993年
JST資料番号： T0991A 資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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