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文献
J-GLOBAL ID：200902184908646067
整理番号：93A0395687
Si基板上のCu薄膜の堆積 薄膜の純度とけい化物の形成
Deposition of copper films on silicon substrates: Film purity and silicide formation.
PADIYATH R
(Clarkson Univ., New York)
,
SETH J
(Clarkson Univ., New York)
,
BABU S V
(Clarkson Univ., New York)
,
MATIENZO L J
(IBM Corp., New York)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 73 号： 5 ページ： 2326-2332 発行年： 1993年03月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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