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文献
J-GLOBAL ID：200902185029943330
整理番号：99A0667459
Si(100)上に低温蒸着したAlN薄膜の電気的性質
Electrical properties of AlN thin films deposited at low temperature on Si(100).
AARDAHL C L
(Univ. Washington, WA, USA)
,
ROGERS J W JR
(Univ. Washington, WA, USA)
,
YUN H K
(Univ. Washington, WA, USA)
,
ONO Y
(Sharp Microelectronics Technol., Inc., WA, USA)
,
TWEET D J
(Sharp Microelectronics Technol., Inc., WA, USA)
,
HSU S-T
(Sharp Microelectronics Technol., Inc., WA, USA)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 346 号： 1/2 ページ： 174-180 発行年： 1999年06月01日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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