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文献
J-GLOBAL ID：200902185045312250
整理番号：01A0700172
化学気相蒸着により成長させた4H-と6H-と15R-SiC(0001)エピタクシー層の表面形態構造
Surface Morphological Structures of 4H-,6H- and 15R-SiC(0001) Epitaxial Layers Grown by Chemical Vapor Deposition.
KIMOTO T
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
CHEN Z Y
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
TAMURA S
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
NAKAMURA S
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
ONOJIMA N
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
MATSUNAMI H
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40 号： 5A ページ： 3315-3319 発行年： 2001年05月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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