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文献
J-GLOBAL ID：200902185097052257
整理番号：93A0890129
Etching of Si, SiO2, and Si3N4 in CF4+H2 Plasma at High Concentration of Hydrogen.
BAKLANOV M R
(Inst. Physics of Semiconductors, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN)
,
PLYUKHIN V G
(Inst. Physics of Semiconductors, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN)
資料名：
Physics, Chemistry and Mechanics of Surfaces
(Physics, Chemistry and Mechanics of Surfaces)
巻： 8 号： 4 ページ： 578-582 発行年： 1993年08月
JST資料番号： D0591C ISSN： 0734-1520 CODEN： PCMSER 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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