文献
J-GLOBAL ID:200902185171710377
整理番号:93A0820788
光デバイス,電子デバイスへの応用のための分子線エピタクシーによる高品質AlGaAs/GaAsヘテロ構造の成長
Growth of high quality AlGaAs/GaAs heterostructures by molecular beam epitaxy for photonic and electronic device applications.
著者 (1件):
CHAND N
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
資料名:
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻:
231
号:
1/2
ページ:
143-157
発行年:
1993年08月25日
JST資料番号:
B0899A
ISSN:
0040-6090
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
文献レビュー
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)