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文献
J-GLOBAL ID：200902185186395516
整理番号：02A0620129
CZ-Si結晶成長における温度勾配の動径分布と微小欠陥分布予測に対するその適用
Radial distribution of temperature gradients in growing CZ-Si crystals and its application to the prediction of microdefect distribution.
KITAMURA K
(Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp., Saitama, JPN)
,
FURUKAWA J
(Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp., Saitama, JPN)
,
NAKADA Y
(Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp., Saitama, JPN)
,
ONO N
(Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp., Saitama, JPN)
,
SHIMANUKI Y
(Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp., Saitama, JPN)
,
EIDENZON A M
(Podolsk Chemical-Metallurgical Plant, Moscow Region, RUS)
,
PUZANOV N I
(Podolsk Chemical-Metallurgical Plant, Moscow Region, RUS)
,
PUZANOV D N
(Podolsk Chemical-Metallurgical Plant, Moscow Region, RUS)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 242 号： 3/4 ページ： 293-301 発行年： 2002年07月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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