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文献
J-GLOBAL ID：200902185219768348
整理番号：93A0726445
WSi2で覆われた浮遊ゲート電極を有するFLOTOX EEPROMの耐久特性
On the endurance performance of FLOTOX EEPROM cells with WSi2 overcoated floating gate electrode.
PAPADAS C
(SGS-Thomson Microelectronics, Grenoble, FRA)
,
GHIBAUDO G
(ENSERG, Grenoble, FRA)
,
PANANAKAKIS G
(ENSERG, Grenoble, FRA)
,
PIO F
(SGS-Thomson Microelectronics, Agrate Brianza, ITA)
,
RIVA C
(SGS-Thomson Microelectronics, Agrate Brianza, ITA)
,
GHEZZI P
(SGS-Thomson Microelectronics, Agrate Brianza, ITA)
資料名：
Microelectronics Journal
(Microelectronics Journal)
巻： 24 号： 4 ページ： 395-399 発行年： 1993年07月
JST資料番号： A0186A ISSN： 0026-2692 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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