文献
J-GLOBAL ID:200902185248582342
整理番号:00A0262709
赤外自由電子レーザ照射によるシリコン同位体濃縮
Silicon Isotope Separation by the Irradiation of Infrared Free Electron Laser.
著者 (4件):
野田哲二
(金材技研)
,
鈴木裕
(金材技研)
,
LYMAN J L
(Los Aiamos National Lab., New Mexico., USA)
,
NEWNAM B E
(Los Aiamos National Lab., New Mexico., USA)
資料名:
日本金属学会誌
(Journal of the Japan Institute of Metals and Materials)
巻:
64
号:
2
ページ:
174-175
発行年:
2000年02月20日
JST資料番号:
G0023A
ISSN:
0021-4876
CODEN:
NIKGAV
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)