文献
J-GLOBAL ID:200902185251384640
整理番号:97A0775172
真空蒸着Alのヘリコン波励起プラズマ窒化により作製したAlN/InPの電気特性とX線光電子分光分析
Electrical Characteristics and the X-ray Photoelectron Spectroscopy of AlN/InP Structure Fabricated by Helicon-Wave-Excited Plasma Nitridation of Vacuum-Evaporated Al.
著者 (4件):
HAYASHI H
(Sci. Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
,
HATANAKA I
(Sci. Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
,
SATO S
(Sci. Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
,
IKOMA H
(Sci. Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
36
号:
7A
ページ:
4235-4240
発行年:
1997年07月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)