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文献
J-GLOBAL ID：200902185253785316
整理番号：01A0717124
Cu配線のTDDB平均寿命に及ぼす低k誘電体とバリアメタルの影響
Impact of Low-K Dielectrics and Barrier Metals on TDDB Lifetime of Cu Interconnects.
NOGUCHI J
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
SAITO T
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
OHASHI N
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
ASHIHARA H
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
MARUYAMA H
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
KUBO M
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
YAMAGUCHI H
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
RYUZAKI D
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
HINODE K
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium
(Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 39th ページ： 355-359 発行年： 2001年
JST資料番号： A0631A ISSN： 1541-7026 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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