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文献
J-GLOBAL ID：200902185267106624
整理番号：97A0729221
SiC単結晶の昇華成長のシミュレーション
Simulation of Sublimation Growth of SiC Single Crystals.
KARPOV S YU
(Advanced Technol. Center, St. Petersburg, RUS)
,
MAKAROV YU N
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
,
RAMM M S
(A.F. Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
資料名：
Physica Status Solidi. B. Basic Research
(Physica Status Solidi. B. Basic Research)
巻： 202 号： 1 ページ： 201-220 発行年： 1997年07月01日
JST資料番号： C0599A ISSN： 0370-1972 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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