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文献
J-GLOBAL ID：200902185375547920
整理番号：99A0839179
AlNバッファ層蒸着条件のGaN層特性への影響
Effect of AlN buffer layer deposition conditions on the properties of GaN layer.
ITO T
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
OHTSUKA K
(Sanken Electric Co. Ltd., Niiza, JPN)
,
KUWAHARA K
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
SUMIYA M
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
TAKANO Y
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
FUKE S
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 205 号： 1/2 ページ： 20-24 発行年： 1999年08月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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