文献
J-GLOBAL ID:200902185403917771
整理番号:93A0395575
マグネトロンエッチング中におけるゲート帯電による酸化物損傷の模型
Model for oxide damage from gate charging during magnetron etching.
著者 (2件):
FANG S
(Stanford Univ., California)
,
MCVITTIE J P
(Stanford Univ., California)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
62
号:
13
ページ:
1507-1509
発行年:
1993年03月29日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)