文献
J-GLOBAL ID:200902185407300205
整理番号:94A0071835
超高速ULSIのための0.5ミクロンCMOS技術による9.4μm2・38GHz側壁ポリサイドベースバイポラー(SPOTEC)
A 9.4-μm2 38-GHz Sidewall Polycide Base Bipolar(SPOTEC) with Half-micron CMOS Technology for Very-high-speed ULSIs.
著者 (6件):
SHIBA T
(Hitachi Ltd, Tokyo, JPN)
,
TAMAKI Y
(Hitachi Ltd, Tokyo, JPN)
,
ONAI T
(Hitachi Ltd, Tokyo, JPN)
,
SAITOH M
(Hitachi Ltd, Tokyo, JPN)
,
KURE T
(Hitachi Ltd, Tokyo, JPN)
,
NAKAMURA T
(Hitachi Ltd, Tokyo, JPN)
資料名:
Proceedings of the Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting
(Proceedings of the Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting)
巻:
1993
ページ:
67-70
発行年:
1993年
JST資料番号:
W0105A
ISSN:
1088-9299
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)