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文献
J-GLOBAL ID:200902185407300205   整理番号:94A0071835

超高速ULSIのための0.5ミクロンCMOS技術による9.4μm2・38GHz側壁ポリサイドベースバイポラー(SPOTEC)

A 9.4-μm2 38-GHz Sidewall Polycide Base Bipolar(SPOTEC) with Half-micron CMOS Technology for Very-high-speed ULSIs.
著者 (6件):
SHIBA T
(Hitachi Ltd, Tokyo, JPN)
TAMAKI Y
(Hitachi Ltd, Tokyo, JPN)
ONAI T
(Hitachi Ltd, Tokyo, JPN)
SAITOH M
(Hitachi Ltd, Tokyo, JPN)
KURE T
(Hitachi Ltd, Tokyo, JPN)
NAKAMURA T
(Hitachi Ltd, Tokyo, JPN)

資料名:
Proceedings of the Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting  (Proceedings of the Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting)

巻: 1993  ページ: 67-70  発行年: 1993年 
JST資料番号: W0105A  ISSN: 1088-9299  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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