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文献
J-GLOBAL ID：200902185481321818
整理番号：93A0473863
単一トランジスタ不揮発メモリセル用高速センス増幅器の設計と解析
Design and analysis of a high-speed sense amplifier for single-transistor nonvolatile memory cells.
AMIN A A M
(King Fahd Univ. Petroleum & Minerals, Dhahran, SAU)
資料名：
IEE Proceedings. Part G. Circuits, Devices and Systems
(IEE Proceedings. Part G. Circuits, Devices and Systems)
巻： 140 号： 2 ページ： 117-122 発行年： 1993年04月
JST資料番号： A0160B ISSN： 0143-7089 CODEN： IPGSEB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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