文献
J-GLOBAL ID:200902185482320327
整理番号:93A0799227
DMOSトランジスタのシミュレーションに対する2D境界要素法アプローチ
A 2-D Boundary Element Method Approach to the Simulation of DMOS Transistors.
著者 (4件):
ZHOU M-J
(Univ. Ghent, Ghent, BEL)
,
DE SMET H
(Univ. Ghent, Ghent, BEL)
,
DE BRUYCKER A
(Univ. Ghent, Ghent, BEL)
,
VAN CALSTER A
(Univ. Ghent, Ghent, BEL)
資料名:
IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems
(IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems)
巻:
12
号:
6
ページ:
810-816
発行年:
1993年06月
JST資料番号:
B0142C
ISSN:
0278-0070
CODEN:
ITCSDI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)