文献
J-GLOBAL ID:200902185575132253
整理番号:93A0701936
極薄Si直接窒化・酸化ゲート絶縁膜の評価
Ultra-thin Oxynitride Gate Formed by Oxidizing Thermallygrown Silicon Nitride.
著者 (4件):
青山敬幸
(富士通研)
,
山崎辰也
(富士通研)
,
杉井寿博
(富士通研)
,
伊藤隆司
(富士通研)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
93
号:
172(SDM93 56-71)
ページ:
15-22
発行年:
1993年07月26日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)