文献
J-GLOBAL ID:200902185582639924
整理番号:93A0805189
一般的な組成勾配半導体層の応力分布と曲率
The stress distribution and curvature of a general compositionally graded semiconductor layer.
著者 (1件):
FREUND L B
(Brown Univ., Rhode Island, USA)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
132
号:
1/2
ページ:
341-344
発行年:
1993年09月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)